本文標題："關(guān)于蝕刻法針對不同晶面材料研究優(yōu)缺點"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動態(tài) ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-11-1 17:46:35

關(guān)于蝕刻法針對不同晶面材料研究優(yōu)缺點

    首先把半導體材料錠鋸成片，然后研磨、拋光到預定的厚度。
但這樣處理會產(chǎn)生被損傷的表面材料層，其性質(zhì)一與原材料大不相
同。因此，要用化學蝕刻去掉一定深度的表層，以便消除機械損
傷。
    雖然表面經(jīng)過如此制備，而單晶依然有不少缺陷，所以，片面
強調(diào)蝕刻工序是不完整的。表面不是原子級光滑而，而是有一定
微量粗糙度，從而影響外延沉積層的完整性。實踐證明:半導體的
不同晶面(其它材料也一樣)會呈現(xiàn)不同的蝕刻速度與氧化速度。
    此外，蝕刻法易使表面污染到原來的程度。這種雜質(zhì)和表面
缺陷在半導體內(nèi)產(chǎn)生巨大的電效應。

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關(guān)于蝕刻法針對不同晶面材料研究優(yōu)缺點,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應

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